طراحی مدارهای تمام جمع کننده کم توان در مد ولتاژ

پایان نامه
  • وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر
  • نویسنده مریم ابراهیم پور
  • استاد راهنما کیوان ناوی
  • تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
  • سال انتشار 1387
چکیده

چکیده ندارد.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

یک سلول XOR جدید دو ورودی مبتنی بر CNTFET با توان نشتی فوق العاده پایین برای تمام جمع کننده های ولتاژ پایین و توان پایین

گیت XOR یکی از بلوک های سازنده پایه در یک مدار تمام جمع کننده می باشد که بهبود عملکرد آن می تواند به یک تمام جمع کننده بهبود یافته منجر شود. بدین منظور، در این مقاله، یک سلول XOR جدید ولتاژ پایین مبتنی بر ترانزیستور های اثر میدان نانو لوله کربنی (CNTFET) پیشنهاد شده است. اهداف طراحی اصلی برای این مدار جدید، اتلاف توان کم، جریان نشتی پایین و سوئینگ ولتاژ کامل در یک ولتاژ تغذیه کم (Vdd = 0.5 V) م...

متن کامل

طراحی ضرب کننده ولتاژ پایین با توان مصرفی کم

چکیده ضرب کننده های آنالوگ یکی از بلوک های مهم در ساختار سیستم های پردازش سیگنال و همچنین سیستم های مخابراتی می باشند. از مهمترین کاربرد این مدارات می توان به مدولاتورها، چند برابر کننده های فرکانس، شبکه های عصبی، سیستم های اندازه گیری، فیلترهای تطبیقی، حلقه های قفل فاز و… اشاره نمود. تابع خروجی ضرب کننده ایده-آل بصورت ضرب دو سیگنال x و y می باشد. اولین ضرب کننده آنالوگ نیمه هادی توسط گیلبر...

15 صفحه اول

طراحی تمام جمع کننده حالتهای کوانتومی

کاربرد افزاره های فتونیکی درسیستمهای محاسباتی، از سه دهه پیش، شروع شده و دائماً در حال توسعه و پیشرفت هستند، اما اندازه قطعات فوتونیکی بر محدودیت شکست نور نمی توانند غلبه کنند. ازطرفی دیگر، نرخ انتقال داده ها تا سال 2015 به 10 ترابیت برثانیه خواهد رسید که افزارههای فتونیکی فعلی قادر به تأمین چنین نرخی نمی باشند. بدین منظور به افزاره های نانوفتونیکی نیاز هست تا بر مشکل محدودیت شکست نور غلبه کرده ...

15 صفحه اول

طراحی تقویت کننده کلاس-D ولتاژ بالا با بازخورد توان برای بارهای پیزوالکتریک

در این مقاله یک تقویت‌کنندۀ کلاس-D به منظور راه‌اندازی بارهای پیزوالکتریک با در نظر گرفتن ملاحظات طراحی شامل بازده، خطی بودن و تداخل الکترومغناطیسی ارائه شده است. تقویت کننده کلاس-D با الگوی کلیدزنی مدولاسیون پهنای باند بر پایۀ تغذیه-باتری طراحی شده است. تقویت‌کننده ارائه شده علاوه بر تأمین توان و ولتاژ سطح بالا، به منظور جداسازی و کاهش اعوجاج از یک مبدل مستقیم-به-مستقیم جدای حلقه بسته بهره می‌...

متن کامل

طراحی مدارهای مبدل سطح ولتاژ با بازده توان بالا

چکیده در سال های اخیر تقاضا برای مدارهای توان پایین و کارایی بالا به صورت قابل توجهی افزایش پیدا کرده است. موثرترین روش در کاهش توان در مداراتvlsi کاهش ولتاژ تغذیه است ودلیل آن تناسب توان پویا با مجذور ولتاژ تغذیه می باشد. از آنجا که کاهش ولتاژ تغذیه باعث کاهش در سرعت مدار می شود، برای جلوگیری از کاهش سرعت، سیستم های با ولتاژ تغذیه ی چند گانه مطرح می شود. استفاده از این روش دارای مشکل هایی می ...

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023